度达到了惊人的1纳米的顶级EUV光刻机，专门为了EUV双重曝光工艺而研发
不出意外的话，这也将会是HEUV-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了
要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300D光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低
然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？
现在的EUV光刻机可就不太好用了
怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！
光刻机里，影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在DUV光刻机时代基本已经到极限了，EUV光刻机则是使用缩小波长的方式来获得技术进步
而现在EUV的光源波长技术路线也差不多玩到头后，剩下最后一个可以提升空间的就只有‘NA数值孔径’这么一个参数了
如HEUV-300系列光刻机里，数值孔径都是统一的0.33！
现在海湾科技那边的下一代光刻机，就是打算在数值孔径上做文章，提升数值孔径，比如放大到0.55甚至更大，进而获得更小的金属间隔
实现单次曝光就制造十六纳米以下甚至更小的金属线宽！
该计划也就是海湾科技里的HEUV-800光刻机，一种大数值孔径EUV光刻机
海湾科技的光刻机，其产品编号都是统一有规律的
i线光刻机，编号为HI-100系列……
KRF光刻机，编号为HKRF-200系列
DUV干式光刻机，编号为HDUV-400系列
DUV浸润式光刻机，支持双重曝光的则是为HDUV-500系列，而支持四重曝光的则是HDUV-600系列
EUV光刻机，因为当年徐申学一心奔着EUV光刻机去，立项非常早，因此比DUV光刻机还要更早一些，所以老早就拿到了HEUV-300的系列编号
然后前几年立项发展的纳米光刻机，则是用掉了HNIL-700的编号
而新一代的大数值孔径EUV光刻机，则是采用了新的HEUV-800系列编号
这种新一代的HEUV-800光刻机，估计也就这两年内搞出来原型机，至于什么时候能实际应用，还要看后续研发情况……但是短时间内够呛，因为这东西太贵，还需要继续技术攻关，把成本拉下来，尤其是制造成本给拉下来，要不然半导体制造工厂使用成本过于高昂，难以为继
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内存芯片的制造，其实和逻辑芯片也是有点类似的，也严重依赖先进光刻机的性能
有了H
点击读下一页,继续阅读 雨天下雨 作品《重生08：从山寨机开始崛起》第六百一十三章 四大巨头的价格战